募集要項
【関東圏】パワー半導体/製品開発業務
- 経験者優遇
◎幅広い案件があり、あなたのやりたいを見つけられる
◎有給休暇取得率は90%で働きやすい
◎定年65歳まで!長く安定して働ける
より良い環境で難易度が高く専門性を高めていきたい!
そんなあなたにピッタリです。
◆業務内容
パワー半導体製品
(IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード)のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務
・マスクレイアウト
・電気特性測定、試作品の観察
・試作品データ整理、現品解析
・試作品流動指示、進捗確認
・試作品外注作業の発送・受入
・各種図面作成
※ご経験スキルに応じて別案件へのご相談も承ります。
ご面接の際に志向性に合わせて様々お話しできればと思います。
技術・資格 |
■必須 |
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給与 |
想定年収:500万円~610万円 |
勤務地 |
茨城県日立市 |
勤務時間 |
通常例)9:00~18:00(プロジェクトにより異なる) |
休日・休暇 |
※休日・休暇は、プロジェクト・配属先企業のカレンダーによる |
待遇・ 福利厚生 |
◆健康保険 |
留意事項 |
試用期間3ヶ月 条件変更無し |
管理No. |
水戸11 |